IGBT绝缘栅双极型晶体管是一种典型的双极MOS复合型功率器件。它结合功率MOSFET的工艺技术，将功率MOSFET和功率管GTR集成在同一个芯片中。该器件具有开关频率高、输入阻抗较大、热稳定性好、驱动电路简单、低饱和电压及大电流等特性，被作为功率器件广泛应用于工业控制、电力电子系统等领域(例如：伺服电机的调速、变频电源)。为使我们设计的系统能够更安全、更可靠的工作，...

　　1引言　　随着电力电子器件制造技术的发展，高性能、大容量的绝缘栅双极晶体管(IGBT)因其具有电压型控制、输入阻抗大、驱动功率小、开关损耗低及工作频率高等特点，而越来越多地应用到工作频率为几十kHz以下，输出功率从几kW到几百kW的各类电力变换装置中。IGBT逆变器中最重要的环节就是高性能的过流保护电路的设计。专用驱动模块都带有过流保护功能。一些分立的驱动电路也带...

　　IGBT(绝缘栅双极性晶体管)是一种用MOS来控制晶体管的新型电力电子器件，具有电压高、电流大、频率高、导通电阻小等特点，因而广泛应用在变频器的逆变电路中。但由于IGBT的耐过流能力与耐过压能力较差，一旦出现意外就会使它损坏。为此，必须但对IGBT进行相关保护。　　过流保护　　生产厂家对IGBT提供的安全工作区有严格的限制条件，且IGBT承受过电流的时间仅为几...

　　IGBT目前被广泛应用在马达或可再生能源系统中的电源转换器上，虽然有多种不同技术可以用于IGBT驱动，但栅极驱动光耦合器由于提供了电气隔离与共模抑制能力，因此成为最佳成本效益的选择。为了强化这类高电压且快速切换应用的可靠度与安全性，整合型栅极驱动光耦合器与隔离放大器可以使IGBT的保护更精简、成本更低并且更加容易实现。　　电源转换电路经常被应用在马达驱动器或可再生...

　　IGBT 在开通过程中，大部分时间是作为MOSFET 来运行的，只是在漏源电压Uds 下降过程后期， PNP 晶体管由放大区至饱和，又增加了一段延迟时间。td(on) 为开通延迟时间， tri 为电流上升时间。实际应用中常给出的漏极电流开通时间ton 即为td (on) tri 之和。漏源电压的下降时间由tfe1 和tfe2 组成。　　IGBT的触发和关断要求给其...